在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺显得更为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致光刻图形转移的失败,同时湿法腐蚀容易发生侧向腐蚀。增黏剂HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善这种状况。将HMDS涂到硅片表面后,经烘箱加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物。它成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起着偶联剂的作用。
1)设备外壳采用316L不锈钢材质制作,内胆为不锈钢316L材料制成;采用C型不锈钢加热管,均匀分布在内胆外壁,内胆内无任何电气配件及易燃易爆装置;采用钢化、防弹双层玻璃观察窗,便于观察工作室内物品实验情况。
2)箱门闭合松紧能调节,整体成型的硅橡胶门封圈,确保箱内保持高真空度。
3) 采用微电脑PID控制,系统具有自动控温,定时,超温报警等,采用LCD液晶显示,触摸式按钮,简单易用,性能稳定.
4)智能化触摸屏控制系统配套日本三菱PLC模块可供用户根据不同制程条件改变程序、温度、真空度及每一程序时间。
5)HMDS气体密闭式自动吸取添加设计,使真空箱密封性能极好,确保HMDS气体无外漏顾虑。
6)整个系统采用优质医用级316L不锈钢材料制作,无发尘材料,适用百级光刻间净化环境。
型号:PVD-090-HMDS
容积:90L
控温范围:R.T.+10~250℃
温度分辨率:0.1℃
控温精度:±0.5℃
隔板数量:2PCS
真空度:<133Pa
真空泵:DM4(外置连接)
电源:AC220/50HZ
额定功率:3.0KW
内胆尺寸mm:450x450x450 (W*D*H)
外形尺寸mm:650x640x910 (W*D*H)
木箱包装mm: 840x750x1100(W*D*H)
连接管:316不锈钢波纹管,将真空泵与真空箱完全密封无缝连接
PVD-090-HMDS预处理系统通过对烘箱HMDS预处理过程的工作温度、处理时间、处理时保持时间等参数可以在硅片、基片表面均匀涂布一层HMDS,降低了HMDS处理后的硅片接触角,降低了光刻胶的用量,提高光刻胶与硅片的黏附性。
首先确定烘箱工作温度。典型的预处理程序为:打开真空泵抽真空,待腔内真空度达到某一高真空度后,开始充入氮气,充到某低真空度后,再次进行抽真空、充入氮气的过程,到达设定的充入氮气次数后,开始保持一段时间,使硅片充分受热,减少硅片表面的水分。然后再次开始抽真空,充入HMDS气体,在到达设定时间后,停止充入HMDS药液,进入保持阶段,使硅片充分与HMDS反应。当达到设定的保持时间后,再次开始抽真空。充入氮气,完成整个作业过程。HMDS与硅片反应机理如图:首先加热到100℃-200℃,去除硅片表面的水分,然后HMDS与表面的OH一反应,在硅片表面生成硅醚,消除氢键作,从而使极性表面变成非极性表面。整个反应持续到空间位阻(三甲基硅烷基较大)阻止其进一步反应。
六、尾气排放:
多余的HMDS蒸汽(尾气)将由真空泵抽出,排放到专用废气收集管道。在无专用废气收集管道时需做专门处理。
七、产品操作控制系统平台配置:
1.采用DM4直联旋片式真空泵
2.采用AISET温控器控制温度,日本三菱可编程触摸屏操作模块.
3.固态继电器
其它选配:
1)加急停装置(标配已含)
2)波纹管2米或3米(标配含1米)
3)富士温控仪表(温度与PLC联动)
4)三色灯
5)增加HMDS液体瓶
6)下箱柜子(304不锈钢)
7)压力记录仪(带曲线)
8)温度记录仪(带曲线)
9)TEMI880可程式温度控制器(温度曲线同步显示),通讯接口:RS232/RS485,可连接打印机打印温湿度曲线监控数据,带USB选配TEMI880-U,(温度误差±0.2℃)。(温度与PLC联动)
备注:选配压力记录仪、温度记录仪时,因工艺需要改变设备整个外箱结构,请参考实物图。外壳采用SS41粉末静电喷涂,内胆采用316L不锈钢,外箱尺寸为(W*D*H)mm:980x655x1600(含下箱柜高700),下箱柜空置。
PVD-210-HMDS真空干燥箱技术参数:
电源电压:AC380V/50Hz
输入功率:4000W
控温范围:室温+10℃-250℃
温度分辨率:0.1℃
温度波动度:±0.5℃
真空度极限:<133Pa
容积:210L
内室尺寸(mm):560*640*600
外形尺寸(mm):720*820*1050
载物托架:3块
时间单位:分钟